華爲布局第三代半導體材料 性能爲傳統硅上千倍

華爲布局第三代半導體材料 性能爲傳統硅上千倍

8月26日消息,近日,華爲旗下的哈勃科技投資公司投資了山東天嶽先進材料有限公司,並持股10%。8ls顯卡之家

今年4月,華爲斥資7億元成立了一家投資公司,即哈勃科技投資有限公司,由華爲投資控股有限公司100%控股;該公司經營範圍主要是創業投資業務,董事長以及總經理均爲白熠,而且,他還是華爲全球金融風險控制中心總裁。8ls顯卡之家

本次接受投資的山東天嶽是我國第三代半導體材料碳化硅企業,成立于2011年12月;目前,山東天嶽投資建成了第三代半導體産業化基地,具備研發和生産優質半導體襯底材料的軟硬件條件。8ls顯卡之家

今年2月,山東天嶽的碳化硅功率半導體芯片及電動汽車模組研發與産業化項目;據了解,該項目是濟南2019年市級重點項目之一,總投資6.5億元,總占用廠房面積爲2400平方米,碳化硅功率芯片生産線和碳化硅電動汽車驅動模塊生産線各一條。8ls顯卡之家

所謂碳化硅(SiC)是碳(C)元素和硅(Si)元素形成的化合物,也是第三代半導體材料代表之一。跟傳統半導體材料硅相比,它具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率等明顯的優勢,可以廣泛應用于大功率高頻電子器件、半導體發光二極管(LED),以及諸如5G通訊、物流網等微波通訊領域,並被列入《國家中長期科學和技術發展規劃綱要》。8ls顯卡之家

同時,它也是目前綜合性能最好(綜合性能較硅材料可提升上千倍)、商品化程度最高、技術最成熟的第三代半導體材料。8ls顯卡之家

現在正值全球5G網絡大規模建設之際,碳化硅在這方面扮演著不可或缺的角色——大數據傳輸、雲計算、AI技術、物聯網,包括下一步的能源傳輸,對網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求,大功率芯片的市場需求非常大。而硅材料的負載量已到達極限,以硅作爲基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。8ls顯卡之家

國內碳化硅材料實現量産後,將打破國外壟斷,推動國內5G芯片技術和生産力的提升。8ls顯卡之家

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